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通过改变传统的P槽设计，增加栅氧化层厚度，获得更优异的性能，更少的栅极充电电荷，更小的导通电阻，更大的耗散功率，更快的内置反向二极管！
P沟道MOSFET
FAIRCHILD全新“B-系列” 及"A-系列"增强型MOSFET
| IRF530A |
IRF630B |
IRF830B |
SSP4N60B |
| IRF540A |
IRF640B |
IRF840B |
SSP7N60B |
| SSH70N10A |
IRFP250B |
IRFP450B |
SSP10N60B |
美国IR公司MOSFET
| IRL3803 |
30V/140A/0.006Ω/TO220 |
IRFZ44N |
55V/41A/0.024Ω/TO220 |
| IRF3205 |
55V/98A/0.008Ω/TO220 |
IRF2807 |
75V/71A/0.013Ω/TO220 |
| IRF3710 |
100V/46A/0.028Ω/TO220 |
IRFPS37N50A |
500V/36A/0.13Ω/TO-274 |
| IRF530N |
IRF630N |
IRF730A |
IRF830A |
| IRF540N |
IRF640N |
IRF740A |
IRF840A |
| IRFP150N |
IRFP250N |
IRFP350 |
IRFP450 |
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IRFP360 |
IRFP460 |
INTERSIL公司的MOSFET
| HUF76445P3 |
60V/75A/0.0075Ω/TO220 |
HUF75545P3 |
80V/75A/0.01Ω/TO220 |
| HUF75645P3 |
100V/75A/0.014Ω/TO220 |
HUF75652G3 |
100V/75A/0.008Ω/TO3P |
| HUF75652G3 |
150V/75A/0.016/TO247 |
FDP3652 |
100V/61A/0.014/
|
| FDP3632 |
100V/80A/0.009/
|
FDP2532 |
150V/79A/0.014/
|
| FDP15N50 |
500V/15A/0.38/
|
FDH27N50 |
500V/27A/0.19/
|
| FDH44N50 |
500V/44A/0.12 |
FDH40N50F |
500V/42A/0.13/ |
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